SPB18P06PGATMA1

HUOMAUTUS: IR (Infineon Technologies) SPB18P06PGATMA1 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	SIPMOS®
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	P-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	18.7A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	860 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	81.1W (Ta)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	D²PAK (TO-263AB)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 4

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	SPB18P06PGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB10N10L IR (Infineon Technologies)
	SPB100N03S2L-03 IR (Infineon Technologies)
	SPB100N03S2-03 IR (Infineon Technologies)
	SPB100N03S2L03T IR (Infineon Technologies)
	SPB16N50C3ATMA1 Rochester Electronics
	SPB100N03S203T IR (Infineon Technologies)
	SPB160N04S2L03DTMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB100N04S2L-03 IR (Infineon Technologies)
	SPB10N10LG Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.