BSZ0901NSATMA1

HUOMAUTUS: IR (Infineon Technologies) BSZ0901NSATMA1 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	OptiMOS™
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 40A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	2850 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	PG-TSDSON-8
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 5267

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	BSZ036NE2LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0901NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ031NE2LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0589NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ042N04NSG Rochester Electronics
	BSZ018NE2LSIATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ097N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0803LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ021N04LS6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ040N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.