FDH047AN08A0

Valmistajan osanumero:	FDH047AN08A0
Valmistaja:	Rochester Electronics
Osa kuvauksesta:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Tietolomakkeet:	FDH047AN08A0 Tietolomakkeet
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Rochester Electronics FDH047AN08A0 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	*
Paketti	Bulk
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	75 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	6.6 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	310W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajalaitepaketti	TO-247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 8135

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	FDH047AN08A0 Rochester Electronics
	FDH055N15A Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDH038AN08A1 Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.