Microsemi / 2N6849
Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan
2N6849
| Valmistajan osanumero: | 2N6849 |
| Valmistaja: | Microsemi |
| Osa kuvauksesta: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| Tietolomakkeet: | 2N6849 Tietolomakkeet |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS-yhteensopiva |
| Varastotilanne: | Varastossa |
| Lähetys alkaen: | Hong Kong |
| Lähetystapa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- HUOMAUTUS
- Microsemi 2N6849 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.
Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.
Erittely
| Tyyppi | Kuvaus |
|---|---|
| Sarja | - |
| Paketti | Bulk |
| Osan tila | Obsolete |
| FET-tyyppi | P-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 100 V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (enintään) | ±20V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajalaitepaketti | TO-39 |
| Pakkaus / kotelo | TO-205AF Metal Can |
Varaston tila: Toimitus samana päivänä
Minimi: 1
| Määrä | Yksikköhinta | Alanumero. Hinta |
|---|---|---|
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö |
||
Rahtilaskelma
40 dollaria FedExiltä.
Perillä 3-5 päivässä
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen
Lisätty ostoskoriin!
Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.