TPN5900CNH,L1Q

Valmistajan osanumero:	TPN5900CNH,L1Q
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Osa kuvauksesta:	MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Tietolomakkeet:	TPN5900CNH,L1Q Tietolomakkeet
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN5900CNH,L1Q on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	U-MOSVIII-H
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 75 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Käyttölämpötila	150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 1972

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	TPN5900CNH,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN5R203PL,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.