MTB30P06VT4G

HUOMAUTUS: Rochester Electronics MTB30P06VT4G on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	-
Paketti	Bulk
Osan tila	Obsolete
FET-tyyppi	P-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	80mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±15V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	2.19 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 125W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	D2PAK
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 11342

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	MTB30P06VT4 Rochester Electronics
	MTB30P06VT4G Rochester Electronics
	MTB30P06V Rochester Electronics
	MTB3N60ET4 Rochester Electronics
	MTB3N60E Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.