Rectron USA / RM185N30DF
Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan
RM185N30DF
| Valmistajan osanumero: | RM185N30DF |
| Valmistaja: | Rectron USA |
| Osa kuvauksesta: | MOSFET N-CHANNEL 30V 185A 8DFN |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS-yhteensopiva |
| Varastotilanne: | Varastossa |
| Lähetys alkaen: | Hong Kong |
| Lähetystapa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- HUOMAUTUS
- Rectron USA RM185N30DF on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.
Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.
Erittely
| Tyyppi | Kuvaus |
|---|---|
| Sarja | - |
| Paketti | Tape & Reel (TR) |
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 30 V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 185A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 95A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | - |
| Vgs (enintään) | ±20V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 15 V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 95W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajalaitepaketti | 8-DFN (5x6) |
| Pakkaus / kotelo | 8-PowerVDFN |
Varaston tila: Toimitus samana päivänä
Minimi: 1
| Määrä | Yksikköhinta | Alanumero. Hinta |
|---|---|---|
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö |
||
Rahtilaskelma
40 dollaria FedExiltä.
Perillä 3-5 päivässä
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen
Suosittuja malleja
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
Lisätty ostoskoriin!
Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.