BSC120N03LSG

Valmistajan osanumero:	BSC120N03LSG
Valmistaja:	Rochester Electronics
Osa kuvauksesta:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Rochester Electronics BSC120N03LSG on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	*
Paketti	Bulk
Osan tila	Active
FET-tyyppi	-
Teknologia	-
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	-
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	-
Vgs (enintään)	-
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	-
Käyttölämpötila	-
Asennustyyppi	-
Toimittajalaitepaketti	-
Pakkaus / kotelo	-

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 2100

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	BSC100N03MSG Rochester Electronics
	BSC146N10LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC196N10NSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC152N10NSFG Rochester Electronics
	BSC120N03LSG Rochester Electronics
	BSC100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC105N10LSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC152N10NSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC123N10LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC120N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.