Rectron USA / RM5N800T2
Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan
RM5N800T2
| Valmistajan osanumero: | RM5N800T2 |
| Valmistaja: | Rectron USA |
| Osa kuvauksesta: | MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO220-3 |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS-yhteensopiva |
| Varastotilanne: | Varastossa |
| Lähetys alkaen: | Hong Kong |
| Lähetystapa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- HUOMAUTUS
- Rectron USA RM5N800T2 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.
Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.
Erittely
| Tyyppi | Kuvaus |
|---|---|
| Sarja | - |
| Paketti | Tube |
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 800 V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | - |
| Vgs (enintään) | ±30V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 50 V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 98W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajalaitepaketti | TO-220-3 |
| Pakkaus / kotelo | TO-220-3 |
Varaston tila: Toimitus samana päivänä
Minimi: 1
| Määrä | Yksikköhinta | Alanumero. Hinta |
|---|---|---|
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö |
||
Rahtilaskelma
40 dollaria FedExiltä.
Perillä 3-5 päivässä
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen
Lisätty ostoskoriin!
Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.