TK55S10N1,LQ

Valmistajan osanumero:	TK55S10N1,LQ
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Osa kuvauksesta:	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Tietolomakkeet:	TK55S10N1,LQ Tietolomakkeet
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK55S10N1,LQ on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	U-MOSVIII-H
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	55A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	3280 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	157W (Tc)
Käyttölämpötila	175°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	DPAK+
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 1816

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	TK55S10N1,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK55D10J1(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK55S10N1,LXHQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.