TK7J90E,S1E

Valmistajan osanumero:	TK7J90E,S1E
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Osa kuvauksesta:	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Tietolomakkeet:	TK7J90E,S1E Tietolomakkeet
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK7J90E,S1E on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	π-MOSVIII
Paketti	Tube
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	900 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±30V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	200W (Tc)
Käyttölämpötila	150°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajalaitepaketti	TO-3P(N)
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 12

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	TK7J90E,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.