G3R160MT12D

HUOMAUTUS: GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	G3R™
Paketti	Tube
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	192mOhm @ 10A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 5mA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	28 nC @ 15 V
Vgs (enintään)	±15V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	730 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	123W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajalaitepaketti	TO-247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 535

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.