SI4435DYPBF

HUOMAUTUS: IR (Infineon Technologies) SI4435DYPBF on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	HEXFET®
Paketti	Tube
Osan tila	Discontinued at Digi-Key
FET-tyyppi	P-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	2320 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2.5W (Ta)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	8-SO
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: Toimitus samana päivänä

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.