RV8C010UNHZGG2CR

Valmistajan osanumero:	RV8C010UNHZGG2CR
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
Osa kuvauksesta:	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Tietolomakkeet:	RV8C010UNHZGG2CR Tietolomakkeet
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: ROHM Semiconductor RV8C010UNHZGG2CR on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	Automotive, AEC-Q101
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	-
Vgs (enintään)	±8V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	40 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1W
Käyttölämpötila	150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	DFN1010-3W
Pakkaus / kotelo	3-XFDFN

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: Toimitus samana päivänä

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	RV8C010UNHZGG2CR ROHM Semiconductor

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.