FDFM2N111

HUOMAUTUS: Rochester Electronics FDFM2N111 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	PowerTrench®
Paketti	Bulk
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)	±12V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	273 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	Schottky Diode (Isolated)
Tehohäviö (maks.)	1.7W (Ta)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	MicroFET 3x3mm
Pakkaus / kotelo	6-WDFN Exposed Pad

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 22145

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	FDFME2P823ZT Rochester Electronics
	FDFMA2N028Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFM2N111 Rochester Electronics
	FDFMA3P029Z Rochester Electronics
	FDFMJ2P023Z Rochester Electronics
	FDFMA2P859T Rochester Electronics
	FDFME3N311ZT Rochester Electronics
	FDFMA2P029Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P029Z-F106 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P853 Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.