IPD180N10N3GATMA1

HUOMAUTUS: IR (Infineon Technologies) IPD180N10N3GATMA1 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	OptiMOS™
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	43A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	18mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	71W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: Toimitus samana päivänä

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	IPD105N04LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD12CN10NG Rochester Electronics
	IPD100N04S402ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N08N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD180N10N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPD15N06S2L64ATMA2 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N03LG Rochester Electronics
	IPD122N10N3GBTMA1 Rochester Electronics
	IPD127N06LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.