Alpha and Omega Semiconductor, Inc. / AOT7S65L
Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan
AOT7S65L
| Valmistajan osanumero: | AOT7S65L |
| Valmistaja: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Osa kuvauksesta: | MOSFET N-CH 650V 7A TO220 |
| Tietolomakkeet: | AOT7S65L Tietolomakkeet |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS-yhteensopiva |
| Varastotilanne: | Varastossa |
| Lähetys alkaen: | Hong Kong |
| Lähetystapa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- HUOMAUTUS
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOT7S65L on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.
Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.
Erittely
| Tyyppi | Kuvaus |
|---|---|
| Sarja | aMOS™ |
| Paketti | Tube |
| Osan tila | Not For New Designs |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 650 V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 9.2 nC @ 10 V |
| Vgs (enintään) | ±30V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 434 pF @ 100 V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 104W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajalaitepaketti | TO-220 |
| Pakkaus / kotelo | TO-220-3 |
Varaston tila: 421
Minimi: 1
| Määrä | Yksikköhinta | Alanumero. Hinta |
|---|---|---|
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö |
||
Rahtilaskelma
40 dollaria FedExiltä.
Perillä 3-5 päivässä
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen
Lisätty ostoskoriin!
Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.