IPD70N10S312ATMA1

HUOMAUTUS: IR (Infineon Technologies) IPD70N10S312ATMA1 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	OptiMOS™
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	4355 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	125W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 11143

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	IPD70R2K0CEAUMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD70R950CEAUMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD70R1K4P7SAUMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD75N04S406ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD70N10S3L12ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD70N10S312ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD70P04P4L08ATMA2 IR (Infineon Technologies)
	IPD70N12S3L12ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD70N12S3-11 Rochester Electronics
	IPD78CN10NGBUMA1 Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.