FQI7N80TU

HUOMAUTUS: Rochester Electronics FQI7N80TU on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	QFET®
Paketti	Bulk
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	6.6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±30V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	1.85 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3.13W (Ta), 167W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajalaitepaketti	I2PAK (TO-262)
Pakkaus / kotelo	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 388

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	FQI7N10TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI7N80TU Rochester Electronics
	FQI7P06TU Rochester Electronics
	FQI7N10LTU Rochester Electronics
	FQI7N60TU Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.