TK8Q65W,S1Q

Valmistajan osanumero:	TK8Q65W,S1Q
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Osa kuvauksesta:	MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Tietolomakkeet:	TK8Q65W,S1Q Tietolomakkeet
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK8Q65W,S1Q on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	DTMOSIV
Paketti	Tube
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	7.8A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	670mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 300µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±30V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	570 pF @ 300 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	80W (Tc)
Käyttölämpötila	150°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajalaitepaketti	I-PAK
Pakkaus / kotelo	TO-251-3 Stub Leads, IPak

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 7

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	TK8Q65W,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK8Q60W,S1VQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.