SIHU2N80E-GE3

HUOMAUTUS: Vishay / Siliconix SIHU2N80E-GE3 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	E
Paketti	Tube
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	2.8A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	2.75Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	19.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±30V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	315 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	62.5W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajalaitepaketti	IPAK (TO-251)
Pakkaus / kotelo	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 3037

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.