GA10SICP12-263

HUOMAUTUS: GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	-
Paketti	Tube
Osan tila	Active
FET-tyyppi	-
Teknologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	-
Vgs (enintään)	-
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	170W (Tc)
Käyttölämpötila	175°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	D2PAK (7-Lead)
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: Toimitus samana päivänä

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.