IPSH4N03LA G

HUOMAUTUS: IR (Infineon Technologies) IPSH4N03LA G on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	OptiMOS™
Paketti	Tube
Osan tila	Obsolete
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	25 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 40µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	26 nC @ 5 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	3200 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	94W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajalaitepaketti	PG-TO251-3
Pakkaus / kotelo	TO-251-3 Stub Leads, IPak

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: Toimitus samana päivänä

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	IPSH5N03LA G IR (Infineon Technologies)
	IPSH6N03LA G IR (Infineon Technologies)
	IPSH4N03LA G IR (Infineon Technologies)
	IPSH6N03LB G IR (Infineon Technologies)

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.