BSF083N03LQ G

HUOMAUTUS: IR (Infineon Technologies) BSF083N03LQ G on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	OptiMOS™
Paketti	Tape & Reel (TR)
Osan tila	Obsolete
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 53A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	8.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2.2W (Ta), 36W (Tc)
Käyttölämpötila	-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pakkaus / kotelo	3-WDSON

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: Toimitus samana päivänä

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	BSF035NE2LQXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF077N06NT3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF045N03MQ3 G IR (Infineon Technologies)
	BSF053N03LT G IR (Infineon Technologies)
	BSF083N03LQ G IR (Infineon Technologies)
	BSF030NE2LQXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF024N03LT3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF050N03LQ3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF083N03LQG Rochester Electronics
	BSF050N03LQ3G Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.