IPN80R900P7ATMA1

HUOMAUTUS: IR (Infineon Technologies) IPN80R900P7ATMA1 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	CoolMOS™ P7
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 110µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 500 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	7W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	PG-SOT223
Pakkaus / kotelo	TO-261-3

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 5430

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	IPN80R2K4P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R1K2P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R600P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R3K3P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R4K5P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R2K0P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R750P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R1K4P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R900P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R2K0P7 Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.