CSD19538Q3AT

HUOMAUTUS: Texas Instruments CSD19538Q3AT on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	NexFET™
Paketti	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	59mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	4.3 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	±20V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	454 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2.8W (Ta), 23W (Tc)
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	8-VSONP (3x3.15)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 79057500

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.