TPS1100DR

HUOMAUTUS: Rochester Electronics TPS1100DR on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	-
Paketti	Bulk
Osan tila	Active
FET-tyyppi	P-Channel
Teknologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	15 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	5.45 nC @ 10 V
Vgs (enintään)	+2V, -15V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	791mW (Ta)
Käyttölämpötila	-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajalaitepaketti	8-SOIC
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 1064

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	TPS1100D Texas Instruments
	TPS1100PW Texas Instruments
	TPS1101PWR Rochester Electronics
	TPS1100PWR Rochester Electronics
	TPS1101DR Texas Instruments
	TPS1101D Texas Instruments
	TPS1100DR Rochester Electronics

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.