FGY75N60SMD

Valmistajan osanumero:	FGY75N60SMD
Valmistaja:	Rochester Electronics
Osa kuvauksesta:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Tietolomakkeet:	FGY75N60SMD Tietolomakkeet
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Rochester Electronics FGY75N60SMD on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	-
Paketti	Bulk
Osan tila	Active
IGBT-tyyppi	Field Stop
Jännite - keräilijän päästöjen jakautuminen (maks.)	600 V
Virta - Kerääjä (Ic) (Max)	150 A
Virta - kerääjä pulssi (Icm)	225 A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 75A
Teho - maks	750 W
Energian vaihtaminen	2.3mJ (on), 770µJ (off)
Syötteen tyyppi	Standard
Porttimaksu	248 nC
Td (päällä / pois) @ 25 ° C	24ns/136ns
Testin kunto	400V, 75A, 3Ohm, 15V
Käänteinen palautumisaika (trr)	55 ns
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Pakkaus / kotelo	TO-247-3 Variant
Toimittajalaitepaketti	PowerTO-247-3

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 50

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	FGY75T120SQDN Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGY75N60SMD Rochester Electronics
	FGY75T95SQDT Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGY75T95LQDT Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.