GT30J121(Q)

Valmistajan osanumero:	GT30J121(Q)
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Osa kuvauksesta:	IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Tietolomakkeet:	GT30J121(Q) Tietolomakkeet
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q) on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	*
Paketti	Tube
Osan tila	Active
IGBT-tyyppi	-
Jännite - keräilijän päästöjen jakautuminen (maks.)	600 V
Virta - Kerääjä (Ic) (Max)	30 A
Virta - kerääjä pulssi (Icm)	60 A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 30A
Teho - maks	170 W
Energian vaihtaminen	1mJ (on), 800µJ (off)
Syötteen tyyppi	Standard
Porttimaksu	-
Td (päällä / pois) @ 25 ° C	90ns/300ns
Testin kunto	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Käänteinen palautumisaika (trr)	-
Käyttölämpötila	-
Asennustyyppi	Through Hole
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Toimittajalaitepaketti	TO-3P(N)

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: Toimitus samana päivänä

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	GT30J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.