Vishay / Siliconix / SIR770DP-T1-GE3
Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan
SIR770DP-T1-GE3
| Valmistajan osanumero: | SIR770DP-T1-GE3 |
| Valmistaja: | Vishay / Siliconix |
| Osa kuvauksesta: | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
| Tietolomakkeet: | SIR770DP-T1-GE3 Tietolomakkeet |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS-yhteensopiva |
| Varastotilanne: | Varastossa |
| Lähetys alkaen: | Hong Kong |
| Lähetystapa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- HUOMAUTUS
- Vishay / Siliconix SIR770DP-T1-GE3 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.
Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.
Erittely
| Tyyppi | Kuvaus |
|---|---|
| Sarja | TrenchFET® |
| Paketti | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-ominaisuus | Logic Level Gate |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 30V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Teho - maks | 17.8W |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Pakkaus / kotelo | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Toimittajalaitepaketti | PowerPAK® SO-8 Dual |
Varaston tila: 2055
Minimi: 1
| Määrä | Yksikköhinta | Alanumero. Hinta |
|---|---|---|
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö |
||
Rahtilaskelma
40 dollaria FedExiltä.
Perillä 3-5 päivässä
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen
Suosittuja malleja
 |
Vishay / Siliconix |
Lisätty ostoskoriin!
Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.