TRS8A65F,S1Q

Valmistajan osanumero:	TRS8A65F,S1Q
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Osa kuvauksesta:	PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=8A
Lyijytön tila / RoHS-tila:	Lyijytön / RoHS-yhteensopiva
Varastotilanne:	Varastossa
Lähetys alkaen:	Hong Kong
Lähetystapa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

HUOMAUTUS: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS8A65F,S1Q on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	-
Paketti	Tube
Osan tila	Active
Diodityyppi	Silicon Carbide Schottky
Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.)	650 V
Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io)	8A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos	1.6 V @ 8 A
Nopeus	No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)	0 ns
Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr	40 µA @ 650 V
Kapasitanssi @ Vr, F	28pF @ 650V, 1MHz
Asennustyyppi	Through Hole
Pakkaus / kotelo	TO-220-2 Full Pack
Toimittajalaitepaketti	TO-220F-2L
Käyttölämpötila - risteys	175°C (Max)

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 200

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	TRS8E65C,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS8E65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TRS8A65F,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.