Comchip Technology / CDBGBSC20650-G
Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan
CDBGBSC20650-G
| Valmistajan osanumero: | CDBGBSC20650-G |
| Valmistaja: | Comchip Technology |
| Osa kuvauksesta: | DIODE DUAL SIC 20A 650V TO-247 |
| Tietolomakkeet: | CDBGBSC20650-G Tietolomakkeet |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS-yhteensopiva |
| Varastotilanne: | Varastossa |
| Lähetys alkaen: | Hong Kong |
| Lähetystapa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- HUOMAUTUS
- Comchip Technology CDBGBSC20650-G on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.
Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.
Erittely
| Tyyppi | Kuvaus |
|---|---|
| Sarja | - |
| Paketti | Tube |
| Osan tila | Active |
| Diodin kokoonpano | 1 Pair Common Cathode |
| Diodityyppi | Silicon Carbide Schottky |
| Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.) | 650 V |
| Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti) | 33A (DC) |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos | 1.7 V @ 10 A |
| Nopeus | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Käänteinen palautumisaika (trr) | 0 ns |
| Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Käyttölämpötila - risteys | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
| Toimittajalaitepaketti | TO-247 |
Varaston tila: Toimitus samana päivänä
Minimi: 1
| Määrä | Yksikköhinta | Alanumero. Hinta |
|---|---|---|
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö |
||
Rahtilaskelma
40 dollaria FedExiltä.
Perillä 3-5 päivässä
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen
Suosittuja malleja
 |
Comchip Technology |
|
Comchip Technology |
|
Comchip Technology |
Lisätty ostoskoriin!
Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.