Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan
Valmistajan osanumero: | BSM600D12P3G001 |
Valmistaja: | ROHM Semiconductor |
Osa kuvauksesta: | 1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S |
Tietolomakkeet: | BSM600D12P3G001 Tietolomakkeet |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS-yhteensopiva |
Varastotilanne: | Varastossa |
Lähetys alkaen: | Hong Kong |
Lähetystapa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tyyppi | Kuvaus |
---|---|
Sarja | - |
Paketti | Bulk |
Osan tila | Active |
FET-tyyppi | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-ominaisuus | Silicon Carbide (SiC) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 600A (Tc) |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | - |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 31000pF @ 10V |
Teho - maks | 2450W (Tc) |
Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Chassis Mount |
Pakkaus / kotelo | Module |
Toimittajalaitepaketti | Module |
Varaston tila: 5
Minimi: 1
Määrä | Yksikköhinta | Alanumero. Hinta |
---|---|---|
![]() Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö |
40 dollaria FedExiltä.
Perillä 3-5 päivässä
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen