BSM180C12P2E202

HUOMAUTUS: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.

Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.

package

Erittely

Tyyppi	Kuvaus
Sarja	-
Paketti	Tray
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
Teknologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	204A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs	-
Vgs (enintään)	+22V, -6V
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	20000 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1360W (Tc)
Käyttölämpötila	175°C (TJ)
Asennustyyppi	Chassis Mount
Toimittajalaitepaketti	Module
Pakkaus / kotelo	Module

OSTOVAIHTOEHDOT

Varaston tila: 4

Minimi: 1

Määrä	Yksikköhinta	Alanumero. Hinta
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö

Rahtilaskelma

40 dollaria FedExiltä.

Perillä 3-5 päivässä

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen

Suosittuja malleja

	BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor
	BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor

Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.