ROHM Semiconductor / BSM180C12P3C202
Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan
BSM180C12P3C202
| Valmistajan osanumero: | BSM180C12P3C202 |
| Valmistaja: | ROHM Semiconductor |
| Osa kuvauksesta: | SICFET N-CH 1200V 180A MODULE |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lyijytön / RoHS-yhteensopiva |
| Varastotilanne: | Varastossa |
| Lähetys alkaen: | Hong Kong |
| Lähetystapa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- HUOMAUTUS
- ROHM Semiconductor BSM180C12P3C202 on saatavilla osoitteessa chipnets.com. Myymme vain uusia ja alkuperäisiä osia ja tarjoamme 1 vuoden takuun. Jos haluat tietää lisää tuotteista tai hakea parempaa hintaa, ota meihin yhteyttä napsauttamalla Online-chattia tai lähetä meille tarjous.
Kaikki Eelctronics-komponentit pakataan erittäin turvallisesti ESD-antistaattisen suojan ansiosta.
Erittely
| Tyyppi | Kuvaus |
|---|---|
| Sarja | - |
| Paketti | Bulk |
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| Teknologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1200 V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | - |
| Vgs (enintään) | +22V, -4V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 10 V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 880W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Toimittajalaitepaketti | Module |
| Pakkaus / kotelo | Module |
Varaston tila: 2
Minimi: 1
| Määrä | Yksikköhinta | Alanumero. Hinta |
|---|---|---|
Hintaa ei ole saatavilla, pyydä tarjouspyyntö |
||
Rahtilaskelma
40 dollaria FedExiltä.
Perillä 3-5 päivässä
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ilmainen toimitus ensimmäiselle 0,5 kg:lle yli 150 dollarin tilauksille, ylipaino veloitetaan erikseen
Suosittuja malleja
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
Lisätty ostoskoriin!
Tämä tuote on lisätty ostoskoriin.